直接鍵合設(shè)備可以配置用于研發(fā)，中試線或大批量生產(chǎn)，以及任何基于直接或中間層的鍵合工藝，包括復(fù)雜的低溫共價(jià)鍵合。憑借這些技術(shù)和設(shè)備組合，EVG占領(lǐng)了封裝和3D集成，MEMS以及的化合物半導(dǎo)體和SOI基板的市場，保持了地位和主導(dǎo)*。
直接鍵合設(shè)備應(yīng)用系統(tǒng)說明：
1、粘接系統(tǒng)：
直接鍵合設(shè)備可提供的總體擁有成本(TCO)，并具有多種設(shè)計(jì)功能可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或高級封裝中的不同市場需求，針對鍵合對準(zhǔn)的多個(gè)模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2、臨時(shí)粘接系統(tǒng)：
臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或薄薄晶圓提供機(jī)械支撐的的過程，這對于3D IC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。EVG粘合技術(shù)在其臨時(shí)粘合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。
3、鍵對準(zhǔn)系統(tǒng)：
1985年，EV Group發(fā)明了世界上個(gè)雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)，改變了MEMS技術(shù)，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝，在對準(zhǔn)晶片鍵合方面樹立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
4、融合和混合鍵合系統(tǒng)：
融合或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層連接，用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴(kuò)展了鍵合界面中嵌入金屬焊盤的熔融鍵合，從而實(shí)現(xiàn)了面對面晶片的正面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。
